CY62167EV18 MoBL ®
16 Мбит (1М x 16) Статическая РАМ
Cypress Semiconductor Corporation• 198
Документ: 38-05447
16 Мбит (1М x 16) Статическая РАМ
Особенности
■ Очень высокая скорость: 55 нс
■ Широкий диапазон напряжения: 1,65 В-2,25 В
■ Ультра низкая резервная мощность
Typical standby current: 1.5 A
❐Максимальный резервный ток: 12 A
■ Ультра низкая активная мощность
❐ Типичный активный ток: 2,2 мА при f = 1 МГц
Расширение памяти с CE 1, CE 2 и OE функции
■Автоматическая мощность вниз при вытеснении
■CMOS для оптимальной скорости и мощности
■ Предлагаются в безалкогольном 48-балльном очень тонкой сетке (VFBGA)
пакеты
Функциональное описание
CY62167EV18 - это высокопроизводительная CMOS-статическая RAM
организован как 1М слова на 16 бит. Особенности этого устройства
расширенный дизайн схемы для обеспечения сверхнизкого активного тока. Это
идеально подходит для обеспечения большего количества аккумулятора Life жизни (MoBL
®) в портативном
приложения, такие как сотовые телефоны. Устройство также имеет функцию автоматического снижения мощности, которая снижает потребление энергии
на 99%, когда адреса не торгают. Разместить устройство
в режиме ожидания (CE)
1 HIGH или CE 2 LOW или
BHE
и БЛ - ВЫСОК. Цифры ввода и вывода (I/O 0)
через I/O
15) помещаются в состояние высокого импеданса, когда:
устройство отключено (CE
1HIGH или CE 2 LOW); выходы
инвалиды (OE)
HIGH); как байтовый высокий доступ, так и байт низкий
Доступны для инвалидов (BHE)
, BLE HIGH); и операция записи
в процессе осуществления
1 LOW, CE 2 HIGH и WE LOW.
Чтобы написать на устройство, возьмите Chip Enables (CE)
1 LOW и CE 2
HIGH) и напишите Enable (Мы ) вход в LOW. Если байт
(BLE
) LOW, затем данные из I/O-пинов (I/O 0 - I/O 7)
написано в месте, указанном на адресных значках (A
0
A
19). Если Byte High Enable (BHE) LOW, то данные из I/O-пинов
(I/O
8 через I/O 15) написано в месте, указанном на
адресные штифты (A
0 дросс
