P-Channel 40 V (D-S) MOSFET
FEAT
URES
• Безгалогеновый согласно IEC 61249-2-21
Определение
100% R
g Испытываемые
100
%
Совместимость с директивой RoHS 2002/95/EC
APPLI CATION
S
Переключение нагрузки
POL
Примечания:
a. На основе Т
C = 25 °C.
b. Поверхность установлена на 1" x 1" доске FR4.
c. t = 10 с.
d. Максимум при устойчивом состоянии составляет 85 °C/W.
РЕЗЮМЕ ПРОИЗВОДСТВА
VDS (V) R DS(on) ( )I D (A) a Qg (Typ.)
- 40
0,010 на V GS = - 10 В - 16,1
33 nC
0,014 в V
ОО = - 4,5 В - 13,3
SO-8
SD
SD
SD
GD 5 6
7 8
Top View
2
3
4 1
S
G
D
P-C
hannel M OSFET
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, если не указано иное
Параметр Symbol Limit Unit
Drain-Source Voltage V
DS - 40
V
Gate-Source V
V
ОО ± 20
t
(T)
J = 150 °C) T
C = 25 °C
I
D
- 16,1
A
T
C = 70 °C
- 12,9
T
A = 25 °C - 10,2 b, c
TA = 70 °C - 8,2 b, c
Pulsed Drain Current I DM - 50
Con tinou
s Source-Drain Diode Current T
C = 25 °C
I S - 5,3
T
A = 25 °C - 2,1 b, c
Однополосный лавины
L = 0,1 мHI AS - 28
Одиночная энергия валанче E
AS 39mJ
Максимальная мощность T
C = 25 °C
P
D
6,3 Вт
T
C = 70 °C
4
T
A = 25 °C 2,5 b, c
TA = 70 °C1,6 b, c
Температура эксплуатирования и хранения Диапазон T J, Tstg - 55-150°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Параметр
Символ
Максимальный отрезок до
b, d t 10 s R thJA 37
50
°C/W
Максимальный отрезок-к-Футу (Дрен)
thJF 16
20
www.VBsemi.tw
E-mail:China@VBsemi TEL:86-755-83251052
TPC8134
llllltttttaahХ eetttttt.mmmmmm
