+7 (495) 646 89 26 info@component17.com Скопирован г. Москва, Нагорный проезд 7 стр 1
Обратный звонок
RU
RU
Menu Close

Product id:

TLP155E(TPL

TLP155E(TPL

TLP155E(TPL
В корзину Cart White

Файлы

tlp155etpl.pdf
TLP155E 1 2019-05-27 © 201 9 Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation TOSHIBA Photocoupler IRED + Photo IC TLP155E Plasma Display Panel (PDP) Инвертор MOS FET / IGBT Gate Drive r Toshiba TLP15 5E состоит из инфракрасных диодов и интегрированных высокоскоростные фотодетекторы. TLP1 55E размещен в SO 6 пакет. Фотодетектор имеет внутренний экран Faraday, который обеспечивает гарантированный ±15 кВ/μs. TLP155E подходит для прямого ворот за рулем для IGBT или питания MOSFETs.  Логический тип буфера (вывод полюса Тотема)  Тип пакета: SO6 Текущий результат: I OP = ±0. 6 A (max)  Гарантированная производительность над температурой: -40-100 °C  Пороговый вход FLH = 7,5 мА (макс.)  Время задержки Пропаганды: t pLH / tpHL = 200 нс (макс.)  Промежуточный иммунитет общего режима :15 кВ/μs (мин)  напряжение изоляции: 3750 V rms (min) UL-признан: UL 1577, File No.E67349  c UL-признан: CSA Component acceptance Service No.5A File No.E67349 EN 60747-5-5, EN 62368-1 (Note 1)  CQC-одобренный: GB4943.1, GB8898 Таиландский завод Note 1: W hen a EN 60747-5-5 официально утвержденный тип необходим, Пожалуйста, назовите O ption(V4). Таблица правды Вход LED M1 M2 Выход H ON ON ON ON F H L OFF ON L Строительные механические оценки JEDEC ― J E I TA ― TOSHIBA 11-4L1 вес: 0, 08 г (тип .) 5,0 мм (мин) 5,0 мм (мин) Толщина изоляции 0,4 мм (мин) 1 3 4 5 6 SHIELD 1+ 3− VCC VO GND (M1) (M2) ICC IO IF VF 6 5 4 SHIELD Блок: мм 1:ANODE 3:CATHODE 4:GND 5:VO (Output) 6:VCC Конфигурация значка (Top View) Schematic Начало коммерческого производства