www.doingter.cn
— 1 —
Описание
:
Этот N-Channel MOSFET использует передовые технологии окопов
дизайн для обеспечения превосходного R D S(on)
с низким зарядом ворот.
Его можно использовать в самых разных приложениях.
Особенности:
1) V
DS =
100 В,I
D=
100 A,R
D S(ON) <
13м Ω
@V
GS=10V
2) Низкие ворота.
3) Зеленое устройство доступно.
4) Передовая технология окопа высокой плотности клеток для ультра R
D S(ON).
5) Превосходная упаковка для хорошего рассеивания тепла.
\
Абсолютные максимальные рейтинги: (Т
C=25
°C, если не указано иное) Параметры символа Рейтинги
Подразделения
V
DS Dra i n - Source Vol ta ge 100 V
V
GS Ga te - Source Vol ta ge ± 20 В
I
D Конти безобидная Dra i n - 1
100
A Conti nuous Dra i n Current - TC=100 °C 80
Pul s ed Dra i n Current 2
380
E
А Si ngl e Pul s e Ava l a nche Energy 3
800 мДж
P
D Power Di s i pati on 4
200 Вт
T
J, T
STG Opera ti ng a nd Stora ge Juncti на Tempera ture Ra nge - 55 - +1 75 °C
Thermal Characteristics
:
Символ Параметр Макс единицы
R
JC Thermal Resistance,Junction to Case 1
0,75
°C/W
R
JA Thermal Resistance,Junction to Ambient 1
-- Д
S
G
TK22E10N1
lllldtttttttaaaahetttttt..mm
