TC58BYG0S3HBAI4
2019 -10 -01 C 1 © 2012 -201 9 KIOXIA Корпорация
MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS
1 GBIT (128M 8 BIT) CMOS NAND E 2PROM
ОПИСАНИЕ
TC58BYG0S3HBAI4 является одним 1,8V 1Gbit (1,107,296,256 бит) NAND Электрически Erasable и
Программируемое чтение -Только память (NAND E 2PROM), организованная как (2048 64) байты 64 страницы 1024 блоков.
Устройство имеет статический регистр 2112-байт, который позволяет передавать данные программы и чтения между регистром.
и массив клеток памяти в 2112 -байтах. Операция «Эраза» осуществляется в одном блоке (128)
Kbytes 4 Кбайт: 2112 байт 64 страницы.
TC58BYG0S3HBAI4 - это устройство памяти серийного типа, которое использует I/O-пинки как для адреса, так и для данных.
ввод/выпуск, а также ввод команд. Операции Erase и Program выполняются автоматически, делая
устройство, которое больше всего подходит для таких приложений, как твердое - состояние хранения файла, запись голоса, память файла изображения для все еще
камеры и другие системы, которые требуют высокого - плотности не-гальванического хранения данных памяти.
TC58BYG0S3HBAI4 имеет логику ECC на чипе, а ошибки чтения 8bit f или каждый 528Bytes могут быть исправлены.
Внутри.
FEATURES
Организация x8
массив памяти 2112 64 K 8
Регистр 2112 8
Размер страницы 2112 байт
Размер блока (128K 4K) байт
Режимы
Читать , Сброс , Программа авто Page, Авто Блок Erase, Статус Читать, Страница Копировать, ECC Статус Читать
Контроль режима
Serial input/output
Контроль команд
Количество действующих блоков
Мин 1004 блоков
Макс 1024 блоков
Питание
VCC 1.7V-1.95V
Время доступа
40 s тип.
Время цикла 25 нс мин (C L=30pF)
Progra m/ Время
Auto Page Program 330 s/page typ.
Авто Блок Эраза 3,5 мс
