1. Профиль продукта
1.1 Общее описание
Силиконмак стандартный режим повышения уровня Н-канала
пластиковый пакет с использованием технологии TrenchMOS. Этот продукт разработан и квалифицирован для
использование только в вычислительных, коммуникационных, консумных и промышленных приложениях.
1.2 Особенности и преимущества
Более высокая операционная мощность из-за низкого
термостойкость
Подходит для высокой частоты
приложения из-за быстрого переключения
характеристики
1.3 Приложения
Класс Усилитель D
DC-to-DC конвертеры
Контроль движения
Переключение электроприборов
1.4 Быстрые исходные данные
PSMN102-200 Y
N-канал TrenchMOS Тишина на MAX стандартный уровень FET
Rev. 03 — 16 марта 2011 года Информационный лист
Таблица 1
Параметры символа Мин Ty p Max Unit
V
DS drain-source
напряжение T j
25 °C; T j≤150 °C - 200 В
I
D дренажный ток T mb = 25°C; V GS = 10V;
см. рис. 1
; см. рис. 3
--21,5A
P
общая мощность
диссипация T mb = 25 °C; см.
Рис. 2 --113W
Статические характеристики
R
DSon drain-source
on-state
сопротивление V GS =10V; I D=12A;
T
j=25°C; см. рис. 9;
см. рис. 10
-86102м Ω
Динамические характеристики
Q
GD Gate-Drain charge V GS = 10V; I D = 12A;
V
DS = 100 В; см. рис. 11;
см. рис. 12
-10,1-nC
