April 2009 Doc ID 6958 Rev 18 1/14
14
STB80NF10
STP80NF10
N-канал 100 В, 0,012 Ω, 80 А, TO-220, D 2PA K
Низкий ворот заряд STripFETTM II Power MOSFET
Особенности
■ Исключительная способность dv/dt
■ 100% тест лавины
■ Характеризация, ориентированная на применение
Приложения
■ Переключение приложений
Описание
Эта серия Power MOSFET реализована с
STMicroelectronics уникальный процесс STripFET
специально предназначен для минимизации входных данных
Конденсация и ворот. Поэтому
подходящий как первичный переключатель в продвинутом высоком
изолированные преобразователи DC-DC для телекома
и компьютерное приложение. Он также предназначен для
любое приложение с низким зарядным приводом
требования. Рис. 1. Внутренняя схематическая схема
Ty p e V DSS RDS(on)
maxI D
STP80NF10 100 В < 0,015 Ω80 A
STB80NF10 100 В < 0,015 Ω80 А
123 13
TO-220
D2PAK
Таблица 1
Коды заказа
STP80NF10 P80NF10@ TO-220 Tube
STB80NF10T4 B80NF10@D2PAK Ткань и катушка
www.st.com
