© Semiconductor Components Industries, LLC, 2009 September, 2009 − Rev. 11Publication Номер заказа:
NTMD4840N/D
NTMD4840N
Power MOSFET
30 В, 7.5 А, Dual N−Channel, SOIC−8
Особенности
• Низкий R DS(on) для минимизации потерь поведения
• Низкая емкость для минимизации потерь водителя
• Оптимизированная зарядка для минимизации выключающих потерь
• Dual SOIC−8 Поверхностная гора сохраняет доску
• Это устройство Pb−Free
Приложения
• Disk Drives
• DC−DC конвертеры
• принтеры
MAXIMUM RATINGS (TJ = 25°) C, если не указано иное
Рейтинг
Symbol Value Unit
VDSS 30 В
Gate− до− Источник ВГС ±20 В
Непрерывная выдержка
Текущий R
©
JA (Note 1)
Steady
Государство
TA = 25°C ID 5.5 A
TA = 70°C 4.4
Выделение мощности
R
©
JA (Note 1) TA = 25°C PD 1.14 W
Непрерывная выдержка
Текущий R
©
JA (Note 2) TA = 25°C ID 4.5 A
TA = 70°C 3,5
Выделение мощности
R
©
JA (Note 2) TA = 25°C PD 0,68 W
Непрерывная выдержка
Текущий R
©
JA t < 10 с
(Примечание 1) TA = 25°C ID 7.5 A
TA = 70°C 6,0
Выделение мощности
R
©
JA t < 10 s (Note 1) TA = 25°C PD 1.95 W
Pulsed Drain Current TA = 25°C,
t
p = 10 ′′s IDM 30 A
TJ, TSTG −5
+150 °C
Источник Текущий (Body Diode)
Однополосный Drain−to− Источник: Avalanche
Energy T
J = 25°C, V DD = 30 В, V GS = 10 В,
I
L = 7,5 A pk, L = 1,0 мH, R G = 25 ≤
EAS 28 mJ
Температура свинца для сварочных целей
TL 260 °C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Рейтинг Symbol Max Unit
Jun Штатное состояние (Note 1) R©
JA 11 0
°C/W Junction−to−Ambient – 10 s (Note 1) R©
JA 64
Junction− to−FOOT (Drain) R©
JF 40
Junction− to−Ambient – Steady State (Note 2) R©
JA 183,5
Напряжения, превышающие максимальные рейтинги, могут повредить устройство. Максимальный
Рейтинги - это только рейтинги стресса. Функциональная работа над рекомендуемым
Условия работы не подразумеваются. Расширение воздействия напряжений над
Reco
