HN1C01FE
2007-11-01 1
TOSHIBA Транзистор кремния NPN Эпитаксиальный тип (PCT-процесс)
HN1C01FE
Апификаторы общего назначения
z Небольшой пакет (Двойной тип)
z Высокое напряжение и высокий ток
: V
CEO = 50В, I C = 150 мА (макс.)
z h
FE: h FE = 120~400
z Отлично h
линейность FE
h
FE (IC = 0,1mA) / h FE (IC = 2mA) = 0,95 (typ.)
Абсолютный максимальный рейтинг (Ta = 25 °
C) (Q1, Q2 Common)
Характеристики Symbol Rating Unit
Коллекционное напряжение V CBO 60 В
50 В
Вытяжное напряжение V EBO 5 V
150 мА
Базовый ток I B 30 мА
100 мВт
Температура T j 150 °C
Температура хранения T stg −55~150 °C
Примечание: Использование непрерывно под тяжелыми нагрузками (например, применение высоких нагрузок)
температура/текущая/вольтность a nd значительное изменение
температура и т. д.) может привести к снижению этого продукта
надежность значительно, даже если условия эксплуатации (т.е. рабочая температура/текущая/вольтаж и т.д.)
в пределах абсолютного максимального рейтинга.
Пожалуйста, спроектируйте соответствующую надежность при пересмотре руководства по надежности Toshiba Semiconductor
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) и индивидуальные данные о надежности (т.е.
отчет и предполагаемый уровень отказов и т.д.
* Общий рейтинг
Электрические характеристики (Ta = 25 °
(Q1,Q2 Common)
Характеристики Symbol Test
Circuit Test Condition Min Typ. Max Unit
Коллекционный ток
I CBO ― V CB = 60V, I E = 0 ― 0,1 μA
I EBO ― V EB = 5V, I C = 0 ― 0,1 μA
Прибавка тока постоянного тока h FE (Note) ― V CE = 6V, I C = 2mA 120 ― 400
Collector-emitter
напряжение насыщения V CE (sat)
― I C = 100 мА, I B = 10 мА ― 0,1 0,25 В
Переходная частота fT ― V CE = 10V, I C = 1mA 80 ― МГц
Конденсация сборщика C ob ― V CB = 10
