DF3A5.6FU
2007-11-01 1
TOSHIBA Diodes for Protecting against ESD Epitaxial Planar Type
DF3A5.6FU
Продукт для использования только как защита от электростата
Discharge (ESD).
* Этот продукт для защиты ag представляет собой электростатический разряд (ESD)
только и не предназначен для любого другого использования, в том числе без
ограничение, приложение постоянного напряжения диод.
• Установка двух устройств на ультракомпактный пакет позволяет сократить количество деталей и затраты на монтаж.
Абсолютный максимальный рейтинг (Ta = 25°C)
Характеристики Symbol Rating Unit
100 мВт
Температура T j 125 °C
Температура хранения T stg −55~125 °C
Примечание: Использование непрерывно под тяжелыми нагрузками (например, применение высоких нагрузок)
температура/текущая/вольтность a nd значительное изменение
температура и т. д.) может привести к снижению этого продукта
надежность значительно, даже если условия эксплуатации (т.е.
рабочая температура/текущая/волновая линия и т.д.) находятся в пределах
абсолютный максимальный рейтинг.
Пожалуйста, спроектируйте соответствующую надежность при пересмотре
Toshiba Semiconductor Справочник по надежности
Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual
данные о надежности (т.е.
Электрические характеристики (Ta = 25°C)
Характеристики Symbol Test Condition Min Typ. Max Unit
напряжение Зенера V Z I Z = 5 мА 5,3 5,6 6,0 В
Динамический импеданс Z I Z = 5 мА ⎯ 40 Ω
Reverse current I R V R = 2,5 В ⎯ 1,0 μA
Терминальная емкость
(между Катоде и Аноде) C T VR = 0, f = 1 МГц
― 65 ― pF
Гарантированный уровень иммунитета ОУР
Уровень иммунитета УР
IEC61000-4-2
±30 кВ
Критерий: Не повреждены элементы устройства
Блок: мм
JEDEC ⎯
JEITA ⎯
TOSHIBA 1-2P1A
Вес: 0,006 г (тып.)
