512K x 8 Статическая РАМ
CY7C1049B
Cypress Semiconductor Корпорация 3901 North First Street San Jose CA 95134 408-943-2600
Документ: 38-05169
049B
Особенности
• Высокая скорость
—t
AA = 12 нс
Низкая активная мощность
— 1320 мВт (макс.)
Низкая резервная мощность CMOS (Commercial L-версия)
— 2,75 мВт (макс.)
2.0В Сохранение данных (400 μW при удержании 2.0В)
Автоматическое отключение при отключении
TTL-совместимые ресурсы и результаты
Легкое расширение памяти с CE
и OE функции
Функциональное описание [1]
CY7C1049B - это высокопроизводительная статическая RAM или...
524 288 слов в 8 бит. Легкое расширение памяти обеспечивается активным LOW Chip Enable (CE)
), активный
Включить выход LOW (OE) и драйверы трех состояний. Написать
устройство выполняется путем принятия Chip Enable (CE)
) и
Запишите Enable (We ) входы LOW. Данные о восьми I/O штифтах (I/O 0 - I/O 7) затем записываются в местоположение, указанное на
адресные штифты (A
0 - A 18).
Чтение с устройства выполнено, забрав Chip En-
(CE)
) и Выход Включить (OE) ЖИЗНЬ, заставляя писать
Включить (мы) В этих условиях содержание
расположение памяти, указанное адресными значками, появится
на I/O штифты.
Восемь входных/выходных штинов (I/O)
0 - I/O 7) помещены в a
состояние высокой доступности, когда устройство отключено (CE)
HIGH), выходы отключены (OE HIGH), или во время записи
(CE LOW, и WE LOW).
CY7C1049B доступен в стандарте 400-мильный
36-контактный пакет SOJ с центральной мощностью и землей (revolu-
tionary) pinout.
Примечание:
1. Для руководства по дизайну системы SRAM, пожалуйста, обратитесь к ‘System Design Guidelines’ Cypress приложение, доступное в Интернете по адресу www.cypress.com.
1415
Конфигурация блокировки логического блока
A1A2A3A4A5A6A7A8
COLUMN
DECODER
ROW DECODER
SENSE AMPS
INPUT BUFFER
POWER
DOWN
Мы
OE
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3 512K x 8
ARRAY
I/O 7
I/O 6
I/O 5
I/O 4
A0
A11 A13A
