2-Mbit (128K x 16)Static RAM
CY7C1011DV33
Cypress Semiconductor Corporation• 198
Документ #: 38-05609 Rev. * C
Особенности
• Pin-и функция-совместима с CY7C1011CV33
• Высокая скорость
—t
AA = 10 нс
• Низкая активная мощность
—I
CC = 90 mA @ 10 ns (Industrial)
• Низкая резервная мощность CMOS
—I
SB2 = 10 мА
• Удержание данных при 2,0 В
• Автоматическое отключение при отключении
• Независимый контроль верхних и нижних битов
• Легкое расширение памяти с CE
и OE функции
• Доступно в Lead-Free 44-pin TSOP II, и 48-ball VFBGA
Функциональное описание
CY7C1011DV33 - это высокопроизводительный статик CMOS
RAM организован как 128K слов на 16 бит.
Запись к устройству выполняется путем принятия Chip Enable
(CE)
) и записи Включить (Мы ) входы LOW. Если байт
(BLE
) LOW, затем данные из I/O штифтов (I/O 0 - I/O 7), является
написано в месте, указанном на адресных значках (A
0 - A 16). Если Byte High Enable (BHE) LOW, то данные
(I/O)
8 через I/O 15) написано в месте
на адресных значках (A
0 - A 16).
Чтение с устройства достигается путем приема Chip
Включить (CE)
) и Выход Включить (OE) ЖИВОТ, одновременно заставляя
Включить (Мы)
) Если Byte Low Enable (BLE) LOW,
затем данные из местоположения памяти, указанного по адресу
значки появятся на I/O
0 к I/O 7. Если байт-высокий Включить (BHE)
LOW, затем данные из памяти появятся на I/O
8 to I/O 15. См.
таблицы истины на задней части этого листа данных для полного
описание режимов чтения и записи.
(I/O)
0 - I/O 15) помещены в a
состояние высокой доступности, когда устройство отключено (CE)
HIGH), выходы отключены (OE HIGH), BHE и BLE
являются инвалидами (BHE, BLE HIGH), или во время операции записи (CE LOW, и WE LOW).
CY7C1011DV33 доступен в стандарте Lead-Free
44-контактный TSOP II с центральной мощностью и заземлением,
