CY62157E MoBL ®
8-Mbit (512 K × 16) Статическая РАМ
Cypress Semiconductor Corporation• 198
Номер документа: 38-05695
8-Mbit (512 K × 16) Статическая РАМ
Особенности
■ Очень высокая скорость: 45 нс
❐Промышленное: –40 °C-+85 °C
❐Automotive-E: –40 °C до +125 °C
■ Широкий диапазон напряжения: 4,5 В–5,5 В
■ Ультра низкая резервная мощность
Typical standby current: 2 A
❐Maximum standby current: 8 A (Industrial)
■ Ультра низкая активная мощность
❐ Типичный активный ток: 1,8 мА при f = 1 МГц
■ Ультра низкая резервная мощность
Расширение памяти с CE 1, CE 2 и OE функции
■Автоматическая мощность вниз при вытеснении
■CMOS для оптимальной скорости и мощности
■Available in Pb-free 44-pin TSOP II и 48-ball VFBGA
пакет
Функциональное описание
CY62157E - это высокопроизводительная CMOS-статическая RAM
организован как 512K слов на 16 бит. Особенности этого устройства
расширенный дизайн схемы для обеспечения сверхнизкого активного тока. Это
идеально подходит для обеспечения большего количества аккумулятора Life жизни (MoBL
®) в портативном
приложения. Устройство также имеет автоматическую мощность вниз
особенность, которая значительно снижает потребление электроэнергии, когдаадреса не торгают. Поместить устройство в режим ожидания
(когда они были избраны)
CE 1 HIGH или CE 2 LOW или как BHE, так и BLE
- HIGH. Цифры ввода или вывода (I/O)
0 - I/O 15)
помещены в состояние высокого импеданса, когда:
■Выбран (СЕ 1HIGH или CE 2 LOW)
■ Выводы отключены (OE HIGH)
■Оба байт-высокий доступ и байт-низкий доступ отключены
(БХЕ, БЛЕ ХЕХ)
Запись активна (СЕ 1 LOW, CE 2 HIGH и WE LOW)
Чтобы написать на устройство, возьмите Chip Enable (
CE 1 LOW и CE 2 HIGH) и записи Включить ( WE) входные данные LOW. Если байт
(BLE) LOW, затем данные из I/O штифтов (I/O 0 - I/O 7), является
написано в месте, указанном на адресных значках (A
0
A
18). Если Byte High Enable (BHE) LOW, то данные из I/O-пинов
(I/O
8 через I/O 15) написано в th
