©2006 Fairchild Semiconductor Corporation 1 www.fairchildsemi.com BC817/BC818 Rev. B
BC817/BC818
tm
November 2006
BC817/BC818
Эпитаксиальный кремний трансистор
Особенности
• Переключение и усилители приложений
• Подходит для стадий AF-Driver и ступеней низкой мощности
• Дополнение к BC807/BC808
Абсолютный максимальный рейтинг* Ta = 25°C, если не указано иное
* Эти рейтинги ограничивают значения, над которыми может быть нарушена работоспособность любого полупроводникового устройства.
Электрические характеристики* Ta=25° C, если не указано иное
* Pulse Test: Pulse Width≤300μs, Duty Cycle≤2%
Параметр символа Val ue Units
VCBO BC817 : BC818 5030 VV
VCEO Collector-Emitter Voltage : BC817 : BC818 4525 VV
VEBO Вольтаж эмиттера-базы 5 В
IC Collector Current (DC) 800 mA
310 мВт
Температура TJ 150 °C
Температура хранения TSTG -65 ~ 150 °C
Параметр символа Мин. Ty p. Max. Units
BC817: BC818
IC=10mA, I B=0 4525 VV
BC817: BC818
IC=0.1mA, V BE=0 5030 VV
BV EBO Emitter-Base Breakdown Voltage IE=0.1mA, I C=0 5 В
VCE=25V, V BE=0 100 nA
IEBO Emitter Cutoff Current VEB=4V, I C=0 100 nA
hFE1hFE2
постоянного тока VCE=1V, I C=100mA VCE=1V, I C=300mA 10060 630
VCE (sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC=500mA, I B=50mA 0,7 V
VBE (on) Base-Emitter On Voltage VCE=1V, I C=300mA 1,2 V
fT Текущий объемный продукт VCE=5V, I C=10mA f=50MHz 100 МГц
12 pF
1. База 2. Эмиттер 3. Коллекционер
SOT-2312 3
