+7 (495) 646 89 26 info@component17.com Скопирован г. Москва, Нагорный проезд 7 стр 1
Обратный звонок
RU
RU
Menu Close

Product id:

BAT54SW,115

BAT54SW,115

BAT54SW,115
В корзину Cart White

Файлы

bat54sw115.pdf
BAT54W BAT54W Поверхностная гора Schottky-Barrier Double-Diodes Schottky-Barrier Doppel-Dioden für die Oberflächenmontage Версия 2014-08-21 Размеры - Maße [мм] ) 200 мВт 2 ) Репетиция пика обратного напряжения P eriodische Spitzensperrspannung 30 В пластиковый корпус Kunstoffgehäuse SOT-323 Вес аппрокс. – Gewicht ca. 0.01 г Пластиковый материал имеет UL классификация 94V-0 Gehäuse material UL94V-0 klassifiziert Стандартная упаковка с лентой и решеткой Standard Lieferform gegurtet auf Rolle Максимальный рейтинг (T) A = 25°C) A = 25°C) на диод/про Diode BAT54W-серия Max. average forward current – Dauergrenzstrom (dc) I FAV 200 mA 2 ) Репетиционный пик форвардного тока – FRM 300 мА 2 ) Не повторяющийся пиковый импульс Stoßstrom-Grenzwert T p ≤ 10 мс T p ≤ 5 μs I FSM I FSM 1 A 8 A Репетиционный пик реверсного напряжения – Периодиш Спитцперыпаннунг V RRM 30 В Температура Jun Температура хранения T j T S 125° C -55...+150° Характеристики (T j = 25°C) j = 25°C) вперед Durchlass-Spannung I F = 0,1 мА I F = 1 мА I F = 10 мА I F = 30 мА I F = 100 мА В F V F V F V F V F < 240 мВ < 320 мВ <400 мВ <500 мВ < 650 мВ Ликажный ток – Sperrstrom 3 ) V R = 25 В V R = 30 В I R I R < 2 μA < 3 μA Max. junction capacitance – Max. Sperrschichtkapazität V R = 1 В dc, f = 100 кГц... 1 МГц C T 10 pF Reverse recovery time – Sperrverzug I F = 10 мА R = 10 мА бис/ до I R = 1 мА т < 5 нс Критический темп повышения напряжения – Kritische Spannungsanstiegsgeschwindigkeit dv/dt 10000 V/μ Соединение термостойкости с окружающим воздухом Wärme widerstand Sperrschicht – umgebende Luft R thA 620 K/W 4 ) 1 Total power dissipation of both diodes − Summe der Verlustleistungen beider Dioden 2 установленный на доске P.C. с 25 мм 2 медная площадка на каждом терминале M