2SK209
2007-11-01 1
Транзистор ТОШИБА
2SK209
Применения для усилителей звука
• Высокий |Y
fs|: |Y fs| = 15 мS (тип) при V DS = 10 В, V GS = 0
• Высокое напряжение сбоя: V
GDS = −50 В
• Низкий уровень шума: NF = 1,0 дБ (тип.)
V
DS = 10 В, I D = 0,5 мА, f = 1 кГц, R G = 1 к Ω
• Высокое входное сопротивление: I
GSS = −1 nA (максимум) при V GS = −30 В
• Небольшой пакет
Абсолютный максимальный рейтинг (Ta =
25°C)
Характеристики Symbol Rating Unit
Воротное напряжение V GDS −50 В
10 мА
D 150 мВт
Температура T j 125 °C
Температура хранения T stg −55~125 °C
Примечание: Использование непрерывно в условиях тяжелых нагрузок (например, применение
высокая температура/текущая/вольтаж и значительное изменение
температура и т. д.) может привести к снижению этого продукта
надежность значительно, даже если условия эксплуатации (т.е.
рабочая температура/текущая/волновая линия и т.д.) находятся в пределах
абсолютный максимальный рейтинг.
Пожалуйста, спроектируйте соответствующую надежность при пересмотре
Toshiba Semiconductor Справочник по надежности
Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual
данные о надежности (т.е.
и т.д.
Маркировка
Электрические характеристики (Ta =
25°C)
Характеристики Symbol Test Condition Min Typ. Max Unit
3.2.1.2.1.2.2.1.2.2.2.2.2.2.2.2.2.2.2.2.2.2.2.2.1.2.2.1.2.2.2.2.1.2.2.1.2.2.2.2.2.1.2.2.1.2.2.2.2.2.1.2.2.2.2.2.1.2.2.2.1.2.2.1.1.2.2.1.1.2.1.1.1.2.1.1.2.2.2.2.1.2.2.2.1.2.2.1 ток отключения I GSS VGS
4.3.2.1.2.2.1.2.1.2.1.2.1.2.1.2.1.2.1.2.2.1.2.1.2.1.2.1.2.1.2.1.2.1.2.2.1.2.1.2.1.2.1.2.1.2.1.2.1.2.1.2.1.2.1.2.2.1.2.2.1.2.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.2.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.2.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1
Drain current I DSS
(Примечание) V DS = 10 В, V GS = 0
1,2 ⎯ 14,0 мА
10 В, I D = 0,1 μA −0,2 ⎯ 1,5 В
⎪Y fs⎪ V DS = 10 В, V GS = 0, f = 1 кГц 4,0 15 ⎯ мS
Входная емкость C iss V DS = 10 В, V GS = 0, f = 1 МГц ⎯ 13 ⎯ pF
Обратная передача капацита
