+7 (495) 646 89 26 info@component17.com Скопирован г. Москва, Нагорный проезд 7 стр 1
Обратный звонок
RU
RU
Menu Close

Product id:

2SK170

2SK170

2SK170
В корзину Cart White

Файлы

2sk170.pdf
2SK170 2007-11-01 1 Транзистор TOSHIBA Field Effect Силиконовый N Chann El Junction Тип 2SK170 Применения для усилителя звука низкого шума • Рекомендуется для первых этапов усилителей головы EQ и M.C. • Высокий |Y fs|: |Y fs| = 22 мS (тип) (V DS = 10 В, V GS = 0, I DSS = 3 мА) • Высокое напряжение сбоя: V GDS = −40 В • Низкий шум: E n = 0,95 нВ/Гц 1/2 (тип) (V) DS = 10 В, I D = 1 мА, f = 1 кГц) • Высокое входное сопротивление: I GSS = −1 nA (max) (V GS = −30 В) Абсолютный максимальный рейтинг (Ta = 25°C) Характеристики Symbol Rating Unit 40 В 10 мА Распределительная мощность P D 400 мВт Температура T j 125 °C Температура хранения T stg −55~125 °C Примечание: Использование непрерывно в условиях тяжелых нагрузок (например, применение высокая температура/текущая/вольтаж и значительное изменение температура и т. д.) может привести к снижению этого продукта надежность значительно, даже если условия эксплуатации (т.е. рабочая температура/текущая/волновая линия и т.д.) находятся в пределах абсолютный максимальный рейтинг. Пожалуйста, спроектируйте соответствующую надежность при пересмотре руководства по надежности Toshiba Semiconductor (“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) и индивидуальные данные о надежности (т.е. отчет и предполагаемый уровень отказов и т.д. Электрические характеристики (Ta = 25°C) Характеристики Symbol Test Condition Min Typ. Max Unit 3.2.1.2.1.2.2.1.2.2.2.2.2.2.2.2.2.2.2.2.2.2.2.2.1.2.2.1.2.2.2.2.1.2.2.1.2.2.2.2.2.1.2.2.1.2.2.2.2.2.1.2.2.2.2.2.1.2.2.2.1.2.2.1.1.2.2.1.1.2.1.1.1.2.1.1.2.2.2.2.1.2.2.2.1.2.2.1 ток отключения I GSS VGS 4.1.2.2.1.2.1.2.1.2.1.1.2.1.2.1.2.1.2.1.2.1.2.1.2.1.2.1.2.1.2.1.2.1.2.1.2.1.2.1.2.2.1.2.1.2.1.2.1.2.1.2.1.2.1.2.1.2.1.2.1.1.2.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1 Drain current I DSS (Примечание) V DS = 10 В, V GS = 0 2,6 ⎯ 20 мА 10 В, I D = 0,1 μA −0,2 ⎯ 1,5 В ⎪Y fs⎪ V DS = 10 В, V GS = 0, f = 1 кГц ⎯ 22 ⎯ мS Входная емкость C iss V DS = 10 В, V GS = 0, f = 1 МГц ⎯ 30 ⎯ pF Re