2SJ668

РЕЗЮМЕ ПРОИЗВОДСТВА VDS (V)R DS(on) (Ω) I D (A) Q g (Typ) - 60 0,061 в V ОО = - 1 0 В - 30 10 0,072 в V ОО = - 4,5 В - 26 TO-252 S GD Top View S G D P-Channel MOSFET Примечания: a. См. кривые SOA для снижения напряжения. b. Поверхность установлена на 1" x 1" FR-4 кабина. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T C = 25 °C, если не указано иное Параметр SymbolLimitUnit Волтаж V ОО ± 20 V Непрерывный Drain Current (T J = 175 °C) T C = 25 °C I D - 30 A T C = 100 °C - 25 Pulsed Dra i n Оригинальное название: DM - 50 Непрерывный ток Су (D iode Conduction ) Я S - 20 Alanche Current I AS - 20 Однополосный A v alanche Energy L = 0,1 мHE AS 7.2 mJ Максимальная мощность T C = 25 °C P D 34a W T A = 25 °C 4 b Температура эксплуатирования и хранения Range T J, Tstg - 55-175 °C THERMAL RESISTANCE RATINGS Параметр символа Типичная максимальная единица Дзюнкция-на-Амбиент b t ≤ 10 сек R thJA 2025 °C/W Штатное государство 6275 2.2.1.2.2.2.2.2.2.2.2.2.2.1.2.2.2.2.1.2.2.2.2.2.2.2.2.2.2.2.2.2.2.2.2.1.2.2.2.1.2.2.2.2.2.2.2.2.2.2.2.2.2.2.2.2.2.2.2.2.2.1.2.1.1.2.2.2.1.1.2.1.1.1.1.1.1.2.1.2.1.3.2.1.2.2.2.2.2.1.1.1.1.2.3.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1.1 thJC 56 P-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES • ТранчФЕТ ® МоСФЕТ Проверено 100% ПРИМЕНЕНИЯ Переключение нагрузки www.VBsemi.tw E-mail:China@VBsemi TEL:86-755-83251052 2SJ668 A ll ≤ata sheetttt..mm