2SC4213
2007-11-01 1
ТОССИБА Транзистор Силиконовый токсический тип (процесс PCT)
2SC4213
Для приложений
• Высокое напряжение излучателя: V
EBO = 25 В (мин)
• Высокий реверс h
FE: Reverse h FE = 150 (typ.) (V CE = −2 В, I C = −4 мА)
• Низкая устойчивость: R
ON = 1 Ω (typ.) (I B = 5 мA)
• Высокая прибыль тока постоянного тока: h
FE = 200~1200
• Небольшой пакет
Абсолютный максимальный рейтинг (Ta =
25°C)
Характеристики Symbol Rating Unit
Коллекционное напряжение V CBO 50 В
Коллекционное напряжение V CEO 20 В
Вытяжное напряжение V EBO 25 В
Коллекционный ток I C 300 мА
Базовый ток I B 60 мА
100 мВт
Температура T j 125 °C
Температура хранения T stg −55~125 °C
Примечание: Использование непрерывно под тяжелыми нагрузками (например, применение высоких нагрузок)
температура/текущая/вольтность a nd значительное изменение
температура и т. д.) может привести к снижению этого продукта
надежность значительно, даже если условия эксплуатации (т.е. рабочая температура/текущая/вольтаж и т.д.)
в пределах абсолютного максимального рейтинга.
Пожалуйста, спроектируйте соответствующую надежность при пересмотре руководства по надежности Toshiba Semiconductor
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) и индивидуальные данные о надежности (т.е.
отчет и предполагаемый уровень отказов и т.д.
Маркировка
Блок: мм
JEDEC ―
JEITA SC-70
TOSHIBA 2-2E1A
Вес: 0,006 г (тып.)
