1/3
www.yfwdiode.com Dongguan YFW Electronics Co, Ltd.
■
Особенности ●
Коллекционер
Текущие
Возможность
IC=20mA
●
Коллекционер
Эмит
Воль
VCEO=30V■
Абсолютный
Максимальный
Рейтинги
Ta
=
25°CParameterSymbolRatingUnit
Коллекционер
-
База
VoltageVCBO40
Коллекционер
-
Эмит
VoltageVCEO30
Эмит
-
База
VoltageVEBO4
Коллекционер
Текущие
-
Непрерывный IC20mA
Коллекционер
Мощность
DissipationPC100m W
Thermal
Сопротивление
от
Центр
в
AmbientRθJA1000
°C/W
Центр
ТемператураTJ125
Хранение
Температура
RangeTstg -55
в
125V
°C■
Электрические
Характеристики
Ta
=
25°CParameterSymbolTest
УсловияMinTypMaxUnit
Коллекционер...
база
разбивка
VCBO Ic=
100
μA,
IE=
040
Коллекционер...
эмиттер
разбивка
VCEO Ic=
1
mA,
IB=
030
Эмит
-
база
разбивка
Напряжение IE=
100μA,
IC=
04
Коллекционная база
отключения
currentICBO VCB=
18
V
,
IE=
00,5
Эмит
отключения
currentIEBO VEB=
4V
,
IC=00.5
Collector-emitter
насыщенность
1.1.2.2.1.2.1.2.1 НапряжениеVCE(sat) IC=100
mA,
IB=10mA0.4
База
-
эмиттер
насыщенность
100
mA,
IB=10mA1.2
DC
текущий
gainhFE VCE=
6V,
IC=
1mA40200
Шум
FigureNF
VCE=
6V,
IE=
-1mA,f=100MHz2.55dB
Reverse Transfer capacitance Cre VCB=
6V,
IE=
0,f=1MHz0.7pF
Переход
Частота fT VCE=
6V,
IC=
1mA550MHz V
uA
V■
Классификация
от
hfe
Type2SC2714-R2SC2714-O2SC2714-Y
Range40-8070-140100-200
MarkingQRQOQY12 3
1.База
2.Emitter
3.Collector■Simplified outline(SOT-23) NPN Transistors■
