2SA1020
2010-11-09 1
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)
2SA1020
Приложения для усилителя мощности
Приложения для переключения питания
• Низкое напряжение насыщения коллектора: V
CE (sat) = −0,5 В (max) (I C = −1 A)
• Высокая коллекционная мощность рассеивания: P
C = 900 мВт
• высокоскоростное переключение: t
stg = 1,0 μ s (typ.)
• Дополнительно к 2SC2655
Абсолютный максимальный рейтинг (T a =
25°C)
Характеристики Symbol Rating Unit
Коллекционное напряжение V CBO −50 В
CEO50 В
Вытяжное напряжение V EBO −5 В
Коллекционный ток I C−2 A
Базовый ток I B−0.2 A
Рассредоточение электроэнергии со сборщиком P C 900 мВт
Температура T j 150 °C
Температура хранения T stg −55-150 °C
Примечание: Использование непрерывно под тяжелыми нагрузками (например, применение высоких нагрузок)
температура/текущая/вольтность a nd значительное изменение
температура и т.д.) может привести к значительному снижению надежности данного продукта, даже если он работает
условия (т.е. рабочая температура/текущая/вольтаж и т.д.) находятся в пределах абсолютного максимального рейтинга.
Пожалуйста, спроектируйте соответствующую надежность при пересмотре руководства по надежности Toshiba Semiconductor
(“Handling Precautions”/"Derating Concept and Methods") и индивидуальные данные о надежности (т.е.
отчет и предполагаемый уровень отказов и т.д.
Блок: мм
JEDEC TO-92MOD
JEITA ―
TOSHIBA 2-5J1A
Вес: 0,36 г (тып.)
