N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
FEATURES
•Галоген-бесплатный
TrenchFET ® мощность MOSFET
Оптимизация
d для синхронного
Операция по восстановлению
100% R
g Испытываемые
Проверено 100%
ПРИМЕНЕНИЯ
CPU Core - High-Sid
e Switch
РЕЗЮМЕ ПРОИЗВОДСТВА
VDS (V)
R DS(on) (Ω)
I D (A) a Qg (Typ.)
30 0,004 в V
ОО = 10 В
18
6,8 nC
0,005 в V
ОО = 4,5 В 16
SO-8
SD
SD
SD
GD 5 6 7 8
T op View
2
3
4 1
N-Channel MOSFET
G
D
S
Примечания:
a. База на Т
C = 25 °C.
b. Поверхность установлена на 1" x 1" доске FR4.
c. t = 10 с.
d. Максимальный показатель
er Steady State conditions is 85 °C/W.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
T A = 25 °C, за исключением othe
rwise
Параметр
SymbolLimitUnit
Drain-Source Voltage V
DS 30
V
Волтаж V
ОО ± 20
Непрерывный Drain Current (T
J = 150 °C) T
C = 25 °C
I
D
18
A
T
C = 70 °C
16
T
A = 25 °C 15 b, c
TA = 70 °C13 b, c
Pulsed Drain Current I DM 50
Непрерывный источник Диод Текущая Т
C = 25 °C
I S 3.8
T
A = 25 °C 2,1 b, c
Однополосный лавины
L = 0,1 мHI AS 22
Avalanche Energy E
AS 24mJ
Max imum Мощность Dissi pation T
C = 25 °C
P
D
4,5 Вт
T
C = 70 °C
2.8
T
A = 25 °C 2,5 b, c
TA = 70 °C1,6 b, c
Эксплуатация
Дзюнкция и
St.
или возраст Т
emper
зрелые Range T J, Tstg
55-150 °C
THERMAL RESIST
ANCE RAT I
НОО
Параметр символ Typi
cal Maximum Unit
Максимальный отрезок до
b, d t ≤ 10 s R thJA 38
50
°C/W
Максимальный отрезок-к-Футу (Дрен)
thJF 22
28
E-mail:China@VBsemi TEL:86-755-83251052
www.VBsemi.tw
TPC8A02-H
A l ≤ a≥ a s he e. o m
