TPC8021-H
2006-11-16 1
Транзистор TOSHIBA Тип (Ultra-High-Speed U-MOSIII)
TPC8021-H
Высокоэффективные DC/DC Converter Applications
Техник PC
Приложения
• Небольшой след из-за небольшого и тонкого пакета
• высокоскоростное переключение
• Q
SW = 3,6 nC (тип.)
• Низкий дренажный источник
DS (ON) = 13,5 мΩ (шт.)
• |Y
fs| = 19 S (тип.)
• Низкий ток утечки: I
DSS = 10 μA (макс) (V DS = 30 В)
Режим улучшения: V
th = 1,1-2,3 В (V DS = 10 В, I D = 1 мА)
Абсолютный максимальный рейтинг (Ta = 25°C)
Характеристики Symbol Rating Unit
DSS 30 В
DGR 30 В
Воротное напряжение V GSS ±20 В
DC (Note 1) I D 11 Drain current
DP 44 A
Растяжение мощности (t = 10 с)
P D 1,9 Вт
Растяжение мощности (t = 10 с)
(Примечание 2b)
Одиночная энергия лавины
(Примечание 3) E AS 79 mJ
Avalanche current I AR 11 A
Repetitive avalanche energy
(Note 2a) (Note 4) E AR 0.14 mJ
Температура канала T ч 150 °C
Температура хранения T stg −55-150 °C
Note 1, Note 2, Note 3 and Note 4: See the next page.
Использование непрерывно под тяжелыми нагрузками (например, применение высокой температуры/теку/вольтажа и значительное изменение
температура и т.д.) может привести к значительному снижению надежности данного продукта, даже если условия эксплуатации (т.е.
рабочая температура/текущая/вольтаж и т.д.) находятся в пределах абсолютного максимального рейтинга. Пожалуйста, спроектируйте соответствующий
надежность при пересмотре Справочника по надежности полупроводников Toshiba (“Handling Precautions”/Derating Concept и
Методы) и индивидуальные данные о надежности (т.е.
Этот транзистор является электростатическим чувствительным устройством. Рука с осторожностью.
