TPC6107
2006-11-17 1
Транзистор TOSHIBA Field Effect Силиконовый P Channel MOS Тип (U-MOSIV)
TPC6107
Техник PC
Применение портативного оборудования
• Небольшой след из-за малого и тонкого пакета
• Низкое сопротивление дренажа: R
DS (ON) = 40 мΩ (тип.)
• |Y
fs| = 9,6 S (типа)
• Низкий ток утечки: I
DSS = −10 μA (макс) (V DS = −20 В)
• Модель повышения: V
th = −0,5-−1,2 В
(V)
DS = −10 В, I D = −200 μA
Абсолютный максимальный рейтинг (Ta = 25°C)
Характеристики Symbol Rating Unit
DSS −20 В
DGR −20 В
Воротное напряжение V GSS ±12 В
D −4,5
Pulse (Note 1) I DP −18 A
Растяжение прочности (t = 5 с)
(Примечание 2a)
Растяжение прочности (t = 5 с)
(Примечание 2b)
1,3 мДж
Avalanche current I AR −2.25 A
Repetitive avalanche energy (Note 4) E AR 0.22 mJ
Температура канала T ч 150 °C
Температура хранения T stg −55-150 °C
Примечание: Использование непрерывно под тяжелыми нагрузками (например, применение высоких температур/текучей/вольтажа и значительное изменение
температура и т.д.) может привести к значительному снижению надежности данного продукта, даже если условия эксплуатации (т.е.
рабочая температура/текущая/вольтаж и т.д.) находятся в пределах абсолютного максимального рейтинга. Пожалуйста, спроектируйте соответствующий
надежность при пересмотре Справочника по надежности полупроводников Toshiba (“Handling Precautions”/Derating Concept и
Методы) и индивидуальные данные о надежности (т.е.
Thermal Characteristics Конфигурация цепи
Характеристика символа
Термическое сопротивление, канал для окружающей среды
(t = 5 с) (Note 2a) R th (ch-a) 56,8 °C/W
Термическое сопротивление, канал для окружающей среды
(t = 5 с) (Note 2b) R th (c
