TK3P50D

Power MOSFET FEATURES • Low Gate Charge Q g Результаты в Simple Drive Требования Улучшенные ворота, Avalanche и динамическое dV/dt Полностью Характерная емкость и лавина Совместимость с директивой RoHS 2002/95/EC 1.1.2.1.2.1.2.1.2.1.2.1.2.1.2.1.2.1.2.1.2.1.2.1.2.1.2.1.2.1.2.2.1.2.1.2.1.2.1.2.1.2.1.2.1.2.2.1.2.1.2.1.2.1.2.1. a. Репетитивная оценка; ширина пульса ограничена максимальной температурой соединения (см. рис. 11). b. Начало T J = 25 °C, L = 24 мH, R G = 25 Ω, I А = 3,2 A (см. рис. 12). c. I SD ≤ 3.2 A, dI/dt ≤ 90 A/μs, V DD ≤ V DS, T J ≤ 150 °C. d. 1,6 мм от корпуса. e. Ток Drain ограничен максимальной температурой соединения. РЕЗЮМЕ ПРОИЗВОДСТВА VDS (V) 650 R DS(on) (Ω )V GS = 10 В 1,8 Q g (Max.) (nC) 48 Q gs (nC) 12 Q gd (nC) 19 Единый Availab le RoHS*COMPLANT ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T C = 25 °C, если не указано иное PARAMETER SYMBOLLIMITUNIT Drain-Source Voltage V DS 650 V Волтаж V ОО ± 30 Непрерывный Drain C urrent e VGS at 10 V T C = 25 °C I D A Непрерывный Drain Current T C = 100 °C 4.2 weather forecast Линейный коэффициент падения 0.48W/°C Одиночная энергия b EAS 325 mJ Repetitive Avalanche Repetitive Avalanche Energy a EAR 6m J Максимальная мощность T C = 25 °C P D 60W Peak Diode Recovery dV/dt c dV/dt 2.8V/ns Эксплуатация и температура хранения Диапазон T J, Tstg - 55 - + 150 °C Сдержанные рекомендации (температура пика) d для 10 с 300 Винт 6-32 или M310 lbf · в 1,1 Н · м S N-Channel MOSFET G D T O-252 GD S Top View 4. 5 E-mail:China@VBsemi TEL:86-755-83251052 www.VBsemi.tw TK3P50D A ll ≤ata sheetttt..mm