MICROWAVE POWER GaAs FET
MICROWAVE SEMICONDUCTOR TIM7179-60SL
ТЕХНИЧЕСКИЕ ДАННЫЕ
FEATURES
„ КОНТРОЛЬ ИНТЕРМОДУЛЯЦИИ „ ГЕН
IM3=-45 dBc при Pout=36,5dBm G1dB=6,5dB при 7,1 ГГц до 7,9 ГГц
Одноместный уровень перевозчика „ BROAD BAND INTERNALLY MATCHED FET
„
HIGH POWER „ HERMETICALLY SEALED PACKAGE
P1dB=48,0 дБм при 7,1 ГГц до 7,9 ГГц
RF PERFORMANCE SPECIFICATIONS ( Ta=25 °C)
ХАРАКТЕРИСТИКИ SYMBOL
КОНДИЦИАЦИИ TYP.MAX.
Выходная мощность на 1dB Gain
Точка сжатия P 1dB dBm
47,0 48,0
⎯
Мощность на 1dB Gain
Точка сжатия G 1dB дБ 5,5
6,5
⎯
Drain Current
I DS1 A
⎯
13,2 15,0
Gain Flatness ΔG dB
⎯
⎯
±0,8
Мощность Добавить эффективность ηadd
VDS = 10V
f = 7,1-7,9 ГГц I
DS set ≅9.5A
%
⎯
37
⎯
3-й порядок
Distortion IM 3 dBc
-42 -45
⎯
Drain Current
I DS2
Po=36.5dBm (уровень погружения) A ⎯
⎯
11,8
Channel Temperature Rise ΔTch (VDS X IDS + Pin – P1dB)
X Rth(c-c) °C
⎯
⎯
100
Рекомендуемое сопротивление ворот (Rg) : 28 Ω
(Макс)
ELECTRICAL CHARACTER ISTICS (Та=25)
°C )
ХАРАКТЕРИСТИКИ SYMBOL
КОНДИЦИАЦИИ TYP.MAX.
3V
IDS = 12,0A
S
⎯
20
⎯
Pinch-off Voltage
V GSoff V DS = 3V
I
DS = 200mA
V -1.0 -1.8-3.0
Saturated Drain Current I DSS V DS = 3V
V
ОО = 0В
A ⎯
38
⎯
Разрыв
= -1,0 мА В-5
⎯
⎯
Термическое сопротивление
R th(c-c) Канал к делу
°C/W
⎯
0,6 0,8
‹ Информация, содержащаяся в настоящем документе, представлена только в качестве руководства для применения наших продуктов. Нет ответственности
берет на себя ТОШИБА за любые нарушения патентов или других прав третьих лиц, которые могут быть результатом его использования.
Никакая лицензия не предоставляется под воздействием или иным образом в соответствии с какими-либо патентными или патентными правами ГСИБА
