1/14
AUTOMOTIVE SPECIFIC
October 2002
STP150NF55
STW150NF55
N-CHANNEL 55V - 0,005 W -120A D2PAK/TO-220/TO-247
STripFET II
n TYPICAL R DS (on) = 0,005 W
(ТО-263)
POWER PACKAGE
ОПИСАНИЕ
This Power MOSFET - последнее развитие
STMicroelectronis уникальный «Single Feature size»
стриптиз-процесс. Полученный транзистор
показывает чрезвычайно высокую плотность упаковки для низких на...
сопротивление, жесткие лавины характеристики и
Следовательно, менее важные шаги по выравниванию
замечательная воспроизводимость производства.
ПРИМЕНЕНИЯ
ВЫСОКРАЩЕННЫЙ, ВЫСОКРАЩЕННЫЙ
n КОЛОНИД И РЕЛИЙНЫЕ ДРИВЕРЫ
n MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS
n DC-DC & DC-AC CONVERTERS
AUTOMOTIVE
TYPEV DSS RDS(on) ID
STB150NF55
STP150NF55
STP150NF5555 V
55 В
55 В<0.006
W
<0.006
W
<0.006
W120 A (**)
120 A (**) 120 A (**)
123
13
D2PA K
TO-263
(Suffix T4)
TO-220
InterNAL SCHEMATIC DIAGRAM
Заказ информации
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
((a)
·
Ширина шланга ограничена безопасной операционной зоной.
(**) Current Limited by Package(1) I SD
£120A, di/dt
£200A/μs, V DD
V (BR)DSS, Tj
£ T JMAX (2) Начало T j = 25 oC, I D = 60 A, V DD = 30V SALES TYPE MARKING PACKAGING
STB150NF55T4 B150NF55
D
2PA KTAPE & REEL
STP150NF55 P150NF55 TO-220 TUBE
STW150NF55 W150NF55 TO-247 TUBE
Параметр символа Группа ценностей
V
DS Drain-source Voltage (V GS = 0)
55 В
V
DGR Дрен-гейт (R GS = 20 к)
W)
55 В
V
GS
I
D(**) Drain Current (continuous) at T C = 25°C
120 A
I
D Ток Drain (непрерывный) в T C = 100°C
106 A
I
DM (
·
480 A
P
tot Total Dissipation at T C = 25°C
300 Вт
Фактор 2.0 Вт/°С
dv/dt
(1) 8 В/нс
E
А 2) Одиночная энергия валанче 850 мДж
T
Температура хранения стг
-55-175 °C
T
j Температура функционирования
