INCHANGE Полупроводник
веб-сайт: www.iscsemi.cn isc & iscsemi зарегистрированный товарный знак 1
isc N-C hanne lMOSFET Transistor STP6N80K5
· ПЫТОК
< < Статик дренаж-источник > > :
RDS (on )≤1.6 Ω
· Режим повышения
· Быстрая скорость переключения
· 100% тест лавины
· Минимальные вариации лота к лоту для надежного устройства
производительность и надежное функционирование
· ОПИСАНИЕ
· быть пригодным для синхронного восстановления сервера и
Общее назначение
· ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T a=25 °C)
SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT
VDSS 800 В
VGS Волтаж ±30 В
4.5 A
IDM 18 A
PD Total Dissipation @T C=25 °C 85 W
Tj Max. Эксплуатационная температура 150 °C
Температура хранения Tstg -55~ 150 °C
· THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL PARAMETER MAX UNIT
Rth(ch-c) 1.47 °C/W
Rth(ch-a)
