1/13 июля 2002 года
STP6NC90Z - STP6NC90ZFP
STB6NC90Z - STB6NC90Z-1
N-CHANNEL 900V - 1.55W - 5.4A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK
Zener-Protected PowerMESHIII MOSFET
n TYPICAL R DS (on) = 1,55 Вт
n ИСТРЕМЕЛЬНЫЕ ВЫСОКРАЩЕННЫЕ ДВУХИ/ДТ
TO - ZENER DIODES
n 100% AVALANCHE TESTED
n VERY LOW GATE INPUT RESISTANCE
ОПИСАНИЕ
Третье поколение MESH OVERLAY Мощность
MOSFET для очень высокого напряжения экспонаты непревзойденные
на постоянной основе в расчете на единицу при одновременном учете
Zener diodes между воротами и источником. Так...
Диапазон дает дополнительную способность ОУР с более высоким ковриком
производительность педальности по запросу большого разнообразия
одноволосных приложений.
ПРИМЕНЕНИЯ
В МОНИТОРАХ,
И ПРОМЫШЛЕННОЕ ПРИМЕНЕНИЕ
ВЫБОРЫ
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
() Ширина потока ограничена безопасной рабочей зоной
TYPE V DSS RDS(on) ID
STP6NC90Z
STP6NC90ZFP
STB6NC90Z
STB6NC90Z-1900 V
900 В
900 В
900 В< 1,9 Вт
< 1,9 Вт
< 1,9 Вт
< 1,9 В5,4 А
5.4 A
5.4 A
5.4 A
Параметр символа Группа ценностей
STP(B)6NC90Z(-1) STP6NC90ZFP
V
DS Drain-source Voltage (V GS = 0)
900 В
V
DGR Дрен-гейт напряжения (R GS = 20 кВт)
900 В
V
GS
I
D Drain Current (continuos) at T C = 25°C
5.4 5.4(*) A
I
D Drain Current (continuos) at T C = 100°C
3.43 3.43(*) A
I
ДУ (1)
21 21 A
P
TOT Total Dissipation at T C = 25°C
135 40 Вт
1.08 0.32 Вт/°С
I
GS
V
ESD (HBM-C=100pF, R=15KW)3KV
dv/dt 3 В/нс
V
ISO Insulation Withstand Voltage (DC) - 2000 V
T
stg Хранение Температура 65-150 °C
T
j Max. Эксплуатационная температура 150 °C
(1) I SD £5.4A, di/dt £100A/μs, V DD £ V (BR)DSS, Tj £ TJMAX (2). Ограниченные только по максимально допустимой температуре
TO-220 123 TO-220FP
123 I2PAK
(Таблицы TO-220)
13
D2PAK
