STB40NE03L-20
N - ИЗМЕНЕНИЕ
O SINGLE FEATURE SIZE]o POWER MOSFET
n TYPICAL R DS(on) = 0,014W
XCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY
100 oC
ПРИМЕНЕНИЕ
ХАРАКТЕРИЗАЦИЯ
n Для КОНТРАКТА С ТОЧНЫМ ВОДНЫМ
SALES OFFICE
ОПИСАНИЕ
This Power MOSFET - последнее развитие
SGS-THOMSON уникальный OSingle Размер функции]o
стриптиз-процесс. Полученный транзистор
показывает чрезвычайно высокую плотность упаковки для низких на...
сопротивление, жесткие лавины характеристики и
менее важные шаги по выравниванию, поэтому замечание
способное производство воспроизводимости.
ПРИМЕНЕНИЯ
n HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING
СОЛЕЙНЫЕ И РЕЛИЙНЫЕ ДРИВЕРЫ
n MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS
n DC-DC & DC-AC CONVERTERS IN HIGH
VRMs
НОТАТИВНАЯ ОКРУЖАЮЩАЯ СРЕДА (ИНВЕКЦИЯ,
ABS, AIR-BAG, LAMPDRIVERS, Etc.) SCHEMATIC DIAGRAM
Ноябрь 1997 года
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Параметр символа Группа ценностей
V
DS Dr is- sourc e Voltage (V GS = 0) 30 V
V
DGR Д-р ворот Волтаж (R GS = 20 кВт)30 В
V
GS
I
D Д-р - арендная плата (непрерывная) в T c=25 oC40A
I
D Д-р - арендная плата (непрерывная) в T c=100 oC28A
I
DM (w) Drain Current (pulsed) 160 A
P
t Total Dissipation at T c=25 oC80W
Факт или 0,53 Вт/
oC
dv/dt
1) Пик диод Recov ery v oltage s lope 7 V/ ns
T
st g St orage Temper ature -65-175 oC
T
j Max. Эксплуатация T emperat ure 175 oC
(w) Ширина потока ограничена безопасной операционной зоной (1) ISD340 A, di/dt3300 A/ms, V DD3V (BR)DSS,Tj3T JMAX
TYPE V DSS RDS(on) ID
13
D2PAK
TO-263
(suffix oT4o)
1/8
