веб-сайт: www.iscsemi.com isc & iscsemi зарегистрированный товарный знак 1
isc N-C hannel M osfet Transistor STB18NM60N
· ПЫТОК
· Drain Current ID=13 A@ TC=25 °C
· Drain Source Voltage-
:VDSS = 600 V(Min)
· Быстрая скорость переключения
· 100% тест лавины
· Минимальные вариации лота к лоту для надежного устройства
производительность и надежное функционирование
· ПРИМЕНЕНИЯ
· Переключение приложений
· ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T a=25 °C)
SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT
VDSS Дрен... Источник напряжения 600 В
VGS Gate- Source Voltage ±25 В
ID Drain Current-continuous@ TC=25 °C 13 A
IDM Pulse Drain Current 52 A
Ptot Total Dissipation@T C=25 °C 110 W
Tj Max. Эксплуатационная температура 150 °C
Диапазон температуры хранения Tstg -55~150 °C
· THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL PARAMETER MAX UNIT
Rthj-c Термическое Сопротивление,Дунькция кКасе 1.14 °C/W
