SSM3K302T
2007-11-01 1
Транзистор TOSHIBA MOS Тип
SSM3K302T
Приложения для коммутаторов управления питанием
Высокоскоростные переключатели приложений
•
• 1,8 В привод
• Низкая устойчивость: R
на = 131 мΩ (макс.) (@V GS = 1,8V)
R
= 87 м Ω (макс) (@V GS = 2,5В)
R
на = 71 м Ω (макс) (@V GS = 4,0В)
Абсолютный максимальный рейтинг (Ta = 25°C)
Характеристики Symbol Rating Unit
30 В
12 В
DC I D 3.0 Drain current
Pulse I DP 6.0 A
Распределительная мощность
P D (Примечание 1) 700 мВт
Температура канала T ч 150 °C
Температура хранения T stg −55~150 °C
Примечание: Использование непрерывно в условиях тяжелых нагрузок (например, применение
высокая температура/текущая/вольтаж и значительное изменение
температура и т. д.) может привести к снижению этого продукта
надежность значительно, даже если условия эксплуатации (т.е.
рабочая температура/текущая/волновая линия и т.д.) находятся в пределах
абсолютный максимальный рейтинг.
Пожалуйста, спроектируйте соответствующую надежность при пересмотре
Toshiba Semiconductor Справочник по вопросам надежности (“ < < Препараты > > / < < Определение понятий и методов > > ) и
индивидуальные данные о надежности (т.е.
Note 1: Mounted on an FR4 board. (25,4 мм × 25,4 мм × 1,6 т, Cu Pad: 645 мм
2 )
Электрические характеристики (Ta = 25°C)
Характеристика состояния испытания символа Max Unit
V (BR) DSS I D = 1 мА, V GS = 0 30 ⎯ ⎯ V Drain–
V (BR) DSX I D = 1 мА, V GS = –12 V 18 ⎯ V
DSS V DS = 30 В, V GS = 0 ⎯ 1 μA
I GSS V GS = ± 12 В, V DS = 0 ⎯ ± ± μ 1 μA
1 мА 0,4 ⎯ 1,0 В
⏐Y fs⏐ V DS = 3 V, I D = 2 A (Note2) 3,8 7,7 ⎯ S
ID = 2,0 A, V GS = 4,0 В (Note2) ⎯ 52 71
ID =
