SSM3K16FV
2007-11-01 1
Транзистор TOSHIBA MOS Тип
SSM3K16FV
Высокоскоростные переключатели приложений
Аналоговые переключатели
• Подходит для монтажа высокой плотности из-за компактной упаковки
• Низкая устойчивость: R
на = 3,0 Ω (макс) (@V GS = 4 В)
: R
(макс.) (@V GS = 2,5 В)
: R
= 15 Ω (макс) (@V GS = 1,5 В)
Абсолютный максимальный рейтинг (Ta = 25°C)
Характеристики Symbol Rating Unit
Drain-Source
Воротное напряжение V GSS ±10 В
DC ID 100 Drain current
Pulse IDP 200 mA
Растяжение мощности (Ta
= 25° C) P D (примечание 1)
150 мВт
Температура канала T ch 150
°C
Температура хранения T stg −55~150
°C
Примечание: Использование непрерывно в условиях тяжелых нагрузок (например, применение
высокая температура/текущая/вольтаж и значительное изменение
температура и т. д.) может привести к снижению этого продукта
надежность значительно, даже если условия эксплуатации (т.е.
рабочая температура/текущая/волновая линия и т.д.) находятся в пределах
абсолютный максимальный рейтинг.
Пожалуйста, спроектируйте соответствующую надежность при пересмотре
Toshiba Semiconductor Справочник по надежности
Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual
данные о надежности (т.е.
Примечание 1: Общая оценка, установленная на доске FR4 (25,4 мм × 25,4 мм × 1,6 т)
Маркировка эквивалент Circuit
Удаление
При обращении с индивидуальными устройствами (которые еще не установлены на платы), убедитесь, что окружающая среда
защищен от электростатического электричества. Операторы должны носить антистатическую одежду, а также контейнеры и другие предметы
которые вступают в прямой контакт с devic es должны быть сделаны из антистатических материалов.
нит: мм
1. 2±0. 05
0. 32±0. 05
12 3 0,4
0. 4
0.22±0. 05 0. 8±0. 05
0. 8±0. 05
1. 2±0. 05
0. 5±0. 05
0.13±0. 05
JEDEC -
ДЖЕЙТА
TOSHIBA 2-1L1B
Вес:
