RF60SC2

Быстрое восстановление диод RF601B2D Заявки  Размеры (Unit : мм)  Общее исправление  Особенности 1) Тип плесени. (CPD) 2)Ultra Low V F 3) Очень быстрое восстановление 4)Более потери переключения  Строительство Силиконовый эпитаксиальный планер Structure Размеры  (Unit : mm)  Абсолютный максимальный рейтинг (Ta=25C) Символ V RM V V R V Io A I FSM A Tj C Tstg C  Электрическая характеристика (Ta=25°C) Символ Мин. Тайп. Макс. Напряжение вперед V F - 0,87 0,93 В I F=3A Обратный ток I R - 0,01 10 A V R=200V Время обратного восстановления trr - 14 25 нс I F=0,5A,I R=1A,Irr=0,25*I R Thermal impedance jc --6 C/W JUNCTION TO CASE Температура хранения 55-150 (*1) Деловые частоты, рейтинг R-загрузка, Tc=128 C, 1/2 Io per diode Условия Параметр 40 Гц/1ц) Температура растяжения 150 Параметровых лимитов Обратное напряжение (повторный пик) 200 Обратное напряжение (DC) 200 *1) 6 CPD 1.6 2.3 1.6 2.3 3,0 2,0 6,0 6,0 (1) (3) (2) 1/3 2011.05 - Rev.F Спецификация данных www.rohm.com © 2011 ROHM Co., Ltd. Все права защищены.