PSMN020-100YS
Н-канал 100В 20,5 мΩ стандартный уровень MOSFET в LFPAK 26 марта 2014
Данные продукта 1. Общее описание
Стандартный уровень N-канальный MOSFET в пакете LFPAK квалифицируется в 175 °C. Этот продукт
спроектирован и квалифицирован для использования в широком диапазоне промышленных, коммуникаций и
бытовой техники.2 Особенности и преимущества
•Advanced TrenchMOS обеспечивает низкий RDSon и низкий заряд ворот
• Высокая эффективность переходных преобразователей мощности
Улучшенные механические и термические характеристики
LFPAK обеспечивает максимальную плотность мощности в пакете Power SO8 3. Приложения
•DC-to-DC конвертеры
• Защита литий-ионных батарей
• Переключение нагрузки
• Моторный контроль
• Источники питания сервера 4. Быстрые исходные данные
Таблица 1
ufoLFe 1lrlonOnr 7FdvhOhFdN 5hd qfM 5l° CdhO
V
T
j ≥ 25 °C; T
j ≤ 175 °C - - 100 В
I
D дренажный ток T
mb = 25 °C; V
ОО = 10 В; рис. 2 - - 43 A
P
t общее рассеивание мощности T
mb = 25 °C;
Рис. 1 - - 106 Вт
T
j температура соединения -55 - 175 °C
Статические характеристики
V
GS = 10 В; I
D = 15 A; T
j = 100 °C;
Рис. 13 - - 37 мΩR
DSon drain-source on-state
сопротивление
V
GS = 10 В; I
D = 15 A; T
j = 25 °C;
Рис. 14 - 15 20,5 мΩ
Динамические характеристики
Q
11,8 16,5 nC
Q
G(tot) общая плата за вход V
GS = 10 В; I
D = 30 A; V
DS = 50 В;
Рис. 15;
Рис. 16
- 41 57,4 nC
