+7 (495) 646 89 26 info@component17.com Скопирован г. Москва, Нагорный проезд 7 стр 1
Обратный звонок
RU
RU
Menu Close

Product id:

PDTC114ET,235

PDTC114ET,235

PDTC114ET,235
В корзину Cart White
1. Профиль Produc t 1.1 Общее описание семейство NPN Resistor-Equipped Transistor (RET) в небольшом Surface-Mounted Device (SMD) пластиковые пакеты. 1.2 Особенности и преимущества 1.3 Приложения 1.4 Быстрые исходные данные Серия PDTC114E NPN resistanceor-equipp ed transistors; R1 = 10 к , R2 = 10 к  Rev. 12 — 21 December 2011 Информационный лист Таблица 1. Ty p e nu m b e r Package PNP дополнение Пакет конфигурация Nexperia JEITA JEDEC PDTC114EE SOT416 SC-75 - PDTA114EE ультра PDTC114EM SOT883 SC-101 - PDTA114EM беспроводные ультра-малые PDTC114ET SOT23 - TO-236AB PDTA114ET маленький PDTC114EU SOT323 SC-70 - PDTA114EU очень маленький  100 мА производительность тока   Встроенные предубежденные резисторы Выборы и затраты места  Упрощен дизайн схемы AEC-Q101 квалифицирован  Цифровой апплик ation in car and промышленный сегмент s Альтернатива экономии для BC847/857 серии в цифровых приложениях  Контроль за входами в IC  Переключение нагрузок Таблица 2. Быстрые исходные данные Параметры символа Мин Ty p Max Unit V Гендиректор коллектор-эмиттер напряжение открытой базы - - 50 В I 100 мА 1 (вход) 7 10 13 к R2/R1 коэффициент резистора 0,8 1,0 1,2