1. Профилактика продукта
1.1 Общее описание
NPN / PNP двойной низкий V CEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) транзистор в среде
мощность Поверхностное устройство (SMD) пластиковый пакет.
1.2 Особенности
n Низкое коллекционное напряжение насыщения
n Высокая способность коллектора I C и I CM
n Высокая коллекционная токовая прибыль (h FE) на I C
n Высокая efÞсиентность из-за меньшего тепла генерации
n Небольшая требуемая площадь печатной доски (PCB), чем для обычных транзисторов
1.3 Приложения
NComplementary MOSFET driver
< < Полуавтомобиля > >
n Dual low power switches (например, моторы, вентиляторы)
Автомобиль
1.4 Быстрые исходные данные
PBSS4350SPN
50 V, 2.7 A NPN/PNP с низким V CEsat (BISS) транзистор
Rev. 01 Ñ 5 апреля 2007 года Информационный лист
Таблица 1.
Тип номер пакета NPN/NPN
PNP/PNP
дополнение Nexperia
Имя
PBSS4350SPN SOT96-1 SO8 PBSS4350SS PBSS5350SS
Таблица 2. Быстрые исходные данные
Параметры символа Мин Ty p Max Unit
TR1; NPN low V
Транзистор CESat
V
Гендиректор коллектор-эмиттер напряжение открытой базы - - 50 В
I
К коллекционный ток - - 2,7 А
I
CM пик коллектора тока одиночного импульса; t
£1 млн.
R
коллектор-эмиттер
устойчивость к насыщению I C=2A;
I
B=200 мА
[1] - 90 130 мВт
