Август 2006 года
14
IRF630
IRF630FP
N-канал 200V - 0,35Ω - 9A TO-220/TO-220FP
Мощность MOSFET
Общие черты
■ Чрезвычайно высокая способность dv/dt
■ Очень низкая внутренняя емкость
■ Заряд ворот минимизируется
Описание
Эта мощность MOSFET спроектирована с использованием
company’s консолидированная планировка полосы на основе MESH
Процесс OVERLAYTM. Эта технология соответствует
и улучшает показатели по сравнению с
стандартные части из различных источников.
Приложения
■ Переключение приложения
Внутренняя схема
Ty p e V DSS RDS(on) ID
IRF630 200V <0.40Ω9A
IRF630FP 200V <0.40Ω9A
TO-220 TO-220FP
123 12
3
www.st.com
Коды
Число Упаковка пакета
IRF630 IRF630-220 Труба
IRF630FP IRF630FP
