HN2S02FU
2007-11-01 1
TOSHIBA Diode Силиконовый эпитаксиальный тип барьера
HN2S02FU
Применение высокоскоростного коммутатора
z HN2S02 FU состоит из 3 независимых диодов.
z Низкое переднее напряжение: V
F (3) = 0,54 В (типа)
z Низкий обратный ток: я
R = 5 μA (макс.)
Абсолютный максимальный рейтинг (Ta = 25°C)
Характеристики Symbol Rating Unit
Максимальный (пик) оборотный В RM 45 В
Обратное напряжение V R 40 В
FM 300 * мА
Средний форвардный ток I O 100 * мА
10 мс
Рассредоточение мощности P 200 ** мВт
Температура T j 125 °C
Температура хранения T stg −55∼125 °C
−40∼100 ° C
Примечание: Использование непрерывно под тяжелыми нагрузками (например, применение высоких нагрузок)
Температура/текущий/вольтаж и значительный кханг е в температуре и т. д.) могут привести к тому, что этот продукт будет
снижение надежности значительно ev en, если условия эксплуатации (т.е.
температура/текущая/вольтаж и т.д.) находятся в пределах абсолютного максимального рейтинга.
Пожалуйста, спроектируйте соответствующую надежность при пересмотре руководства по надежности Toshiba Semiconductor
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) и индивидуальные данные о надежности (т.е.
отчет и предполагаемый уровень отказов и т.д.
* : Это абсолютный максимальный рейтинг одного диода (Q1 или Q2 или Q3). В случае использования 2 ro 3 диод, абсолютные максимальные рейтинги
на диод - 75% от одного диодного.
** : Всего
Электрические характеристики (Q1, Q2, Q3 Common, Ta = 25°C)
Характеристики Symbol Test
Состояние испытания
Мин Тайп. Max Unit
VF (1) ― I F = 1mA ― 0,28 ―
VF (2) ― I F = 10mA ― 0,36 ―
V
F (3) ― I F = 100mA ― 0,54 0,60V
Reverse current IR ― V R = 40V
― 5 μA
Итого, емкость C T ―
V R = 0, f = 1MH z ― 18 ―
pF
JEDEC
―
JEITA ―
TOSHIBA 1
