CY7C199D
256 K (32 K × 8) Статическая РАМ
Cypress Semiconductor Corporation• 198
Номер документа: 38-05471
256 K (32 K × 8) Статическая РАМ
Особенности
■ Температурные диапазоны
❐–40 °C-85 °C
■Pin и функция совместимы с CY7C199C
■ Высокая скорость
❐tAA = 10 нс
■Небольшая активная мощность
❐ICC = 80 мА при 10 нс
■Low CMOS standby power
❐ISB2 = 3 мА
Удержание данных ■2,0 В
■Automatic power-down when deselection
■ Полупроводник оксида дополнительного металла (CMOS) для
оптимальная скорость/мощность
■ Трансистор-трансисторная логика (TTL) совместимые входы и выходы
Расширение памяти с функциями CE и OE
■Available in Pb-free 28-pin 300-Mil-wide формованный небольшой план
J-листовый пакет (SOJ) и 28-контактный тонкий пакет
Пакеты I
Функциональное описание
CY7C199D - это высокопроизводительная CMOS-статическая RAM
организован как 32 768 слов 8-битами. Легкое расширение памяти
(CE)
), активный LOW
Выходное устройство (OE)
) и водителей трех штатов. Это устройство имеет
автоматическое отключение питания, снижение энергопотребления
когда он был оторван. Цифры ввода и вывода (I/O)
0 - I/O 7)
помещены в состояние высокой импеданса, когда устройство
(CE)
HIGH), выходы отключены (OE HIGH), или
во время записи (CE)
Живее и Живее.
Пишите на устройство, забирая микросхем (CE)
) и записи
(Мы
) входные данные. Данные по восьми I/O штифтам (I/O 0 - I/O 7)
затем записывается в место, указанное на адресных значках (A
0 - A 14).
Прочтите с устройства с помощью чипа (CE)
) и выпуск
включить (OE)
) Живите, заставляя писать (мы ) HIGH. Under
эти условия, содержание заданного места памяти
на значках I/O.
Диаграмма логического блока
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
I/O 6
I/O 7
[+] Отзывы
