64K x 16 Статическая РАМ
CY7C1021BV33
Cypress Semiconductor Корпорация• 3901 North First Street San Jose CA 95134 408-943-2600
Документ #: 38-05148 Rev. * A Revised September 13, 2002
021B V33
Особенности
3.3V работа (3.0V–3.6V)
Высокая скорость
—t
AA = 10/12/15 нс
CMOS для оптимальной скорости/мощности
Низкая активная мощность (L версия)
—576 мВт (макс.)
Низкая резервная мощность CMOS (L версия)
—1,80 мВт (макс.)
Автоматическое отключение при отключении
Независимый контроль над верхними и нижними битами
Доступен в 44-контактном TSOP II и 400-мильном SOJ
Доступный в 48-Ball Mini Пакет BGA
Функциональное описание [1]
CY7C1021BV - это высокопроизводительная статическая RAM CMOS
организован как 65 536 слов на 16 бит. Это устройство имеет au-
томатическая функция отключения питания, которая значительно снижает мощность
потребление, когда его выберут. Запись к устройству выполняется путем принятия Chip Enable
(CE)
) и записи Включить (Мы ) входы LOW. Если байт
(BLE ) это LOW, затем данные из I / O штифтов (I / O 1 - I / O 8), есть
написано в месте, указанном на адресных значках (A
0 - A 15). Если Byte High Enable (BHE) LOW, то данные
(I/O)
9 - I/O 16) написано в месте
на адресных значках (A
0 - A 15).
Чтение с устройства выполнено, забрав Chip En-
(CE)
) и Выход Включить (OE) ЖИЗНЬ, заставляя писать
Включить
) HIGH. Если Byte Low Enable (BLE) LOW, то
данные о местоположении памяти, указанные адресными значками
появится на I/O
1 к I/O 8. Если Byte High Enable (BHE) LOW,
затем данные из памяти появятся на I/O
9 to I/O 16. Смотрите
Таблица истины на задней части этого листа данных для полного осквернения...
tion of read and write mode.
(I/O)
1 - I/O 16)
состояние высокой доступности, когда устройство отключено
(CE)
HIGH), выходы отключены (OE HIGH), BHE и
BLE отключены (BHE, BLE HIGH) или во время написания оперы...
tion (CE LOW, and WE LOW).
CY7C1021BV доступен в 40