256K (32K x 8) Статическая РАМ
CY62256
Cypress Semiconductor Corporation• 198
Документ #: 38-05248 Rev. * F
Особенности
• Высокая скорость
—55 нс
• Диапазон температуры
— Коммерческие: 0°С-70°С
— Промышленный: –40°С-85°С
— Автомобили: –40°С-125°С
• Диапазон напряжения
— 4.5В – 5.5В
• Низкая активная мощность и резервная мощность
• Легкое расширение памяти с CE
и OE функции
• TTL-совместимые ресурсы и результаты
• Автоматическое отключение при отключении
• CMOS для оптимальной скорости/мощности
• Доступно в свободном от Pb и без Pb стандарте 28-pin
узкий SOIC, 28-контактный TSOP-1, 28-контактный
и 28-контактные пакеты DIP
Функциональное описание [1]
CY62256 - это высокопроизводительная CMOS-статическая RAM
организован как 32K слов на 8 бит. Легкое расширение памяти
(CE)
) и активный LOW
Выходное устройство (OE)
) и водителей трех штатов. Это устройство имеет
автоматическое отключение питания, снижение мощности
потребление на 99,9% при выходе из состава.
Активный сигнал L записи (Мы
) контролирует
написание / чтение операции памяти. Когда CE и мы
входные данные - как LOW, так и данные о восьми входных/выходных значениях
(I/O
0 через I/O 7) написано в месте памяти
адрес, представленный на адресных значках (A
0 - A 14). Чтение устройства выполняется путем выбора
устройство и включение выходов, CE
и ОЭ активный,
пока мы остаемся неактивными или HIGH. В этих условиях
информации о местонахождении,
адресные значки присутствуют на восьми значках ввода/вывода данных.
Входные/выходные штифты остаются в состоянии высокой доступности, если только
чип выбирается, выходы включены, и записи включить
(Мы
) очень.
Примечание:
1. В отношении рекомендаций по оптимальной практике см. приложение Cypress “System Design Guidelines” на http://www.cypress.com.
A9A8A7A6A5A4A3A2
COLUMN
DECODER
ROW
