CY62157ESL MoBL ®
8-Mbit (512 K × 16) Статическая РАМ
Cypress Semiconductor Corporation• 198
Номер документа: 001-43141
8-Mbit (512 K × 16) Статическая РАМ
Особенности
■ Очень высокая скорость: 45 нс
■ Широкий диапазон напряжения: 2,2 В-3,6 В и 4,5 В-5,5 В
■ Ультра низкая резервная мощность
Typical Standby current: 2 A
❐Максимальный резервный ток: 8 A
■ Ультра низкая активная мощность
Typical active current: 1.8 mA at f = 1 МГц
Расширение памяти с функциями CE и OE
■Автоматическая мощность вниз при вытеснении
■ Полупроводник оксида дополнительного металла (CMOS) для
оптимальная скорость и мощность
■ Прозрачный 44-контактный тонкий маленький пакет (TSOP) II
пакет
Функциональное описание
CY62157ESL - это высокопроизводительная CMOS-статическая RAM
организован как 512K слов на 16 бит. Особенности этого устройства
расширенный дизайн схемы для обеспечения сверхнизкого активного тока. Это
идеально подходит для обеспечения большего количества аккумулятора Life жизни (MoBL
®) в портативном
приложения. Устройство также имеет автоматическую мощность вниз
особенность, которая значительно снижает потребление электроэнергии, когдаадреса не торгают. Поместить устройство в режим ожидания
(CE)
HIGH or both BHE and BLE are HIGH.
Цифры ввода или вывода (I/O)
0 - I/O 15) помещаются в высоту
состояние импеданса, когда устройство отключено (CE)
HIGH), the
выходы отключены (OE
HIGH), как байтовое высокое значение и
The Byte Low Enable отключены (BHE, BLE HIGH) или во время
активная операция записи (CE)
Живее и Живее.
Чтобы написать на устройство, возьмите Chip Enable (CE)
) и запись Включить
(Мы
) входные данные. Если Byte Low Enable (BLE) LOW, то данные
(I/O)
0 - I/O 7) написано в месте
на адресных значках (A
0 - A 18). Если байт
Включить (BHE)
) LOW, затем данные из I/O штифтов (I/O 8 через
I/O
15) написано в месте, указанном на адресных значках
(А)
0 - A 18).
Чтобы читать с устройства,
