CY62146ESL MoBL
4-Mbit (256K x 16) Статическая РАМ
Cypress Semiconductor Corporation• 198
Документ: 001-43142
Особенности
■ Очень высокая скорость: 45 нс
■ Широкий диапазон напряжения: 2,2 В-3,6 В и 4,5 В-5,5 В
■ Ультра низкая резервная мощность
Typical Standby current: 1 A
❐Максимальный резервный ток: 7 A
■ Ультра низкая активная мощность
❐ Типичный активный ток: 2 мА на f = 1 МГц
Расширение памяти с функциями CE и OE
■Автоматическая мощность вниз при вытеснении
■ Полупроводник оксида дополнительного металла (CMOS) для
оптимальная скорость и мощность
■ Прозрачный 44-контактный тонкий маленький пакет (TSOP) II
пакет
Функциональное описание
CY62146ESL - это высокопроизводительная CMOS-статическая RAM
организован как 256K слов на 16 бит. Особенности этого устройства
расширенный дизайн схемы для обеспечения сверхнизкого активного тока. Это
идеально подходит для обеспечения большего количества аккумулятора Life жизни (MoBL
) в портативных приложениях, таких как сотовые телефоны. Устройство также имеет
функция автоматического снижения мощности, которая снижает энергопотребление
когда адреса не торгают. Размещение устройства в режиме ожидания
режим снижает потребление электроэнергии более чем на 99%, когда
(CE)
HIGH). Цифры ввода и вывода (I/O 0 -
I/O
15) помещаются в высокое состояние импеданса, когда устройство
отодвинутые (CE HIGH), выходы отключены (OE HIGH),
как байт-высокий доступный, так и байт-лоу Включить отключены (BHE)
,
BLE
HIGH) или во время операции записи (CE LOW и WE LOW).
Чтобы написать на устройство, возьмите Chip Enable (CE)
) и запись Включить
(Мы
) входные данные. Если Byte Low Enable (BLE) LOW, то данные
(I/O)
0 - I/O 7) написано в месте
на адресных значках (A
0 - A 17). Если байт
Включить (BHE)
) LOW, затем данные из I/O штифтов (I/O 8 через
I/O
15) написано в месте, указанном на адресных значках
(А)
0 - A 17).
Для чтения с устройства, ta
