CY14B116L/CY14B16N/CY14B116S
CY14E116L/CY14E116N/CY14E116S
16-Mbit (2048K × 8/1024K × 16/512K × 32) nvSRAM
Cypress Semiconductor Corporation• 198
Номер документа: 001-67793
16-Mbit (2048K × 8/1024K × 16/512K × 32) nvSRAM
Особенности
■16-Мбитная неволатильная статическая память случайного доступа (nvSRAM)
❐25-н, 30-н и 45-н время доступа
❐Интернально организован как 2048K × 8 (CY14X116L),
1024K × 16 (CY14X116N), 512K × 32 (CY14X116S)
❐Hands-off автоматически STORE on power-down with only
маленький конденсатор
❐STORE to QuantumTrap nonvolatile elements is initiated by
программное обеспечение, значок устройства или AutoStore на отключении питания
❐ ПРИЗНАВАЯ к SRAM, инициированной программным обеспечением или питанием
■ Высокая надежность
❐ Бесконечный цикл чтения, записи и RECALL
1 миллион циклов STORE к QuantumTrap
Сохранение данных: 20 лет
■ Режим сна
■ Потребление малой мощности
❐ Активный ток 75 мА на 45 нс
❐Standby режим тока 650 A
❐ Режим сна ток 10 A
■ Рабочее напряжение:
❐CY14B116X: V CC = 2,7 В-3,6 В
❐CY14E116X: V CC = 4,5 В-5,5 В
■Индусная температура: –40 С до +85 С
■
❐44-контактный тонкий пакет с малой линией (TSOP II)
❐48-контактный тонкий пакет с малой линией (TSOP I)
❐54-контактный тонкий пакет с малой линией (TSOP II)
❐60-балльная мелкая решетка (FBGA) пакет
Пакет 165-балльной меловой решетки (FBGA)
■ Ограничение опасных веществ (RoHS)
■ Предлагаемые скорости
❐44-контактный TSOP II: 25 нс и 45 нс
❐48-контактный TSOP I: 30 нс и 45 нс
❐54-контактный TSOP II: 25 нс и 45 нс
FBGA: 25 нс
FBGA: 25 нс и 45 нс
Функциональное описание
Cypress CY14X116L/CY14X116N/CY14X116S - это быстро
SRAM, с негальваническим элементом в каждой ячейке памяти. The
память организована как байт 2048K 8 бит каждый или 1024K
слова 16 бит каждый или 512K слов по 32 бит каждый. The
встроенные негальванические элементы
