FEATURES
Высокий коллекционер Текущие
Высокий текущий рост
MARKING:FG
MAXIMUM RATINGS (T
a=25°C, если не указано иное
Параметр символа Группа V
CBO Collector-Base Voltage 80 V V
CEO Collector-Emitter Voltage 60 V V
EBO 10 Вт
C Коллекционер Текущий 500 мА P
C Коллекционная энергия рассеивания 300 мВт R
ΘJA Thermal Resistance From Junction to Ambient
416 °C/W T
j Температура 150
°C T
Температура хранения стг
-55～+150 °C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
a=25°C, если не указано иное
Символ метра Условия испытания Мин-штип Макс Блок Коллекционерное поломочное напряжение V
(BR)CBO I
C=100μA, I
E=0 80 В
(BR)CEO I
C=10mA, I
B = 0 60 В
(BR)
E=10μA, I
C=0 10 В
CBO V
CB=60V, I
E=0 0,1 μA
EBO V
EB=4V, I
C=0,1 μA h
FE(1) V
CE=1V, I
C=100μA 2000 ч
FE(2) V
CE=5V, I
C=10mA 4000 h
FE(3) V
CE=5V, I
C=100mA 10000 постоянного тока
h
FE(4) V
CE=5V, I
C=0.5A 2000 Напряжение насыщения коллектора-эмиттера V
CE(sat) I
C=100mA, I
B = 0,1 мА 1 В
BE(sat) I
C=100mA, I
B=0,1mA 1.5 V Частота перехода f
T V
CE=5V,I
C=50mA, f=100MHz 170 MHz Конденсация сборщика
v
CB=10V, I
E=0, f=1MHz 3,5 pF
SOT–23 1. BASE
2. EMITTER
3. COLLECTOR
BCV47 TRANSISTOR (NPN) 1 Дата:2011/05 www.htsemi.com
полупроводникJinYu
