BCP54...
BCP54...
NPN
Поверхностная гора общего назначения Si-Epi-Planar Transistors
Si-Epi-Planar Universaltransistoren für die Oberflächenmontage NPN
Версия 2006-06-26
Размеры - Maße [мм]
1 = B 2/4 = C 3 = E
Рассредоточение мощности
Verlustleistung1.3 W
пластиковый корпус
KunstoffgehäuseSOT-223
Аппрокс веса.
Gewicht ca.0.04 g
Пластиковый материал имеет UL классификация 94V-0
Gehäuse material UL94V-0 klassifiziert
Стандартная упаковка с лентой и решеткой
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Максимальный рейтинг (T)
A = 25°C) Grenzwerte (T A = 25°C)
BCP54 BCP55 BCP56
Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung B open V
Генеральный директор 45 В 60 В 80 В
Коллекционер-База-Спаннунг E open V
CBO 45 V 60 V 100 V
Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung C open V
EBO 5 V
Рассредоточение электроэнергии – Verlustleistung P
1,3 Вт 1)
Коллекционный ток – Kollektorstrom (dc) I
C 1 A
Пиковый коллекционер current Коллектор-Спитзенстром I
CM 1.5 A
current Бассейн-Спитзенстром I
BM 200 mA
Температура Jun
Температура хранения
j
TS
-55...+150°C
-55...+150°C
Характеристики (T
j = 25°C) Кеннерте (T j = 25°C)
Мин, Тайп, Макс.
Выигрыш тока постоянного тока – Kollektor-Basis-Stromverhältnis
2)
V
CE = 2 В, I C = 5 мАл групп h FE 25
V
CE = 2 В, I C = 150 мAGroup -6
Группа -10
Группа -16h
hFE
hFE
40
63
100–
–
–100
160
250
V
CE = 2 В, I C = 500 мА все группы h FE 25 –
– Коллектор-Эмиттер-Sättigungsspg.
2)
I
C = 500 мA, I B = 50 мA V CEsat – 0,5 В
Базовое-эмиттерное напряжение – Basis-Emitter-Spannung
2)
I
C = 500 мA, I B = 50 мA V BE ––1 V
1 установленный на доске P.C. с 3 мм 2 медной прокладкой на каждом терминале
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
2 Проверено с импульсами t
p = 300 μs, цикл службы ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen t p = 300 μs, Schaltverhältnis ≤ 2%
© Diotec Semiconduct
