B 5817W
2,70
3,70
0,55
1,05
1.6
B5817W SCHOTTKY BARRIER DIODE
£o
Рассредоточение мощности
P D: 450 м Вт £ ̈ Тамб = 25 ¡æ£©
Коллекционный ток
IF: 1 A
Коллекционер - базовое напряжение
VR: 20 В
Диапазон температуры переднего атласа и места хранения
T J£¬ Tstg: -55 ¡æ до +150 ¡æ
£o SJ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS £̈ Тамб = 25 ¡æ, если не указано иное £©
Символ метра Условия испытаний MIN MAX UNIT
Повреждение обратного сбоя V
(BR) I
R = 1mA 20
V
ток утечки обратного напряжения
I
R V
R =
20В 1
m A
Вперед
напряжение V
F I
F =
1A
I
F =
3A
0,45
0,75
V
Диодная емкость
C
D V
R =
4V f=1MHz 120
pF
Unit £o мм
SO D-123
Http www.wej.cn
E-mail:wej@yongerjia.com
ЭЛЕКТРОННОЕ СО.
R o HS
WEJ ELECTRONIC CO.,LTD
