1SS301
2007-11-01 1
TOSHIBA диод Силиконовой эпитаксиальный тип
1SS301
Ultra High Speed Switch Applications
z Малый пакет: SC-70
z Низкое переднее напряжение: V
F
(3) = 0,9 В (типа)
z Быстрое обратное время восстановления: t
rr = 1,6 нс (тип.)
z Малая общая емкость: C
T = 0,9 pF (тип.)
Абсолютный максимальный рейтинг (Ta = 25 °C)
Характеристики Symbol Rating Unit
Максимальное (пиковое) обратное напряжение V RM 85 В
Обратное напряжение V R 80 В
FM 300 (*) мА
Средний форвардный ток I O 100 (* ) мА
10 мс
100 мВт
Температура Jun Tj 125 °C
Температура хранения T stg −55~125 °C
Примечание: Использование непрерывно под тяжелыми нагрузками (например, применение высоких нагрузок)
температура/текущая/вольтность a nd значительное изменение
температура и т. д.) может привести к снижению этого продукта
надежность значительно, даже если условия эксплуатации (т.е.
рабочая температура/текущая/вольтаж и т.д.) находятся в пределах абсолютного максимального рейтинга.
Пожалуйста, спроектируйте соответствующую надежность при пересмотре руководства по надежности Toshiba Semiconductor
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) и индивидуальные данные о надежности (т.е.
отчет и предполагаемый уровень отказов и т.д.
*: Единый рейтинг. Итого ra ting = единица
Электрические характеристики (Ta = 25 °C)
Характеристики Symbol Test
Circuit Test Condition Min Typ. Max Unit
VF (1) ― I F = 1 мА
― 0,60 ―
VF (2) ― I F = 10 мА ― 0,72 ―
V
F (3) ― I F = 100 мА ― 0,90 1,20В
IR (1) ― V R = 30 В
― 0,1
I R (2) ― V R = 80 В ― 0,5 μ
A
1 МГц ― 0,9 3,0
pF
Reverse recovery time t rr ― I F = 10 mA, Fig.1 ― 1,6 4,0
ns
Блок: мм
JEDEC ―
JEITA SC-70
TOSHIBA 1-2P1B
Вес: 0,006 г (тып.)
