Силиконовый диод
Rev. V1
1N4531
1 1
M/A -COM Technology Solutions Inc. (MACOM) и ее филиалы оставляют за собой право вносить изменения в продукт(ы) или информацию, содержащуюся в настоящем документе без уведомления. Посетите www.macom.com для получения дополнительных данных и информации о продукте. За дополнительной информацией и поддержкой посетите: https://www.macom.com/support
1
Особенности
Доступно в JAN, JANTX и JANTXV за
MIL -PRF -19500/116
Металлургически связан
Герметически
Двухслойная конструкция
Максимальные рейтинги
Эксплуатация и хранение Температура: -65°С до +175°С
Текущее: 200 mA @ T A = +75°C
Фактор падения: 1,14 мА/° C выше T A = +25°C
Surge Current A: 2.0 A, sinewave, Pw = 8.3 мс
DC Reverse Voltage (V RW M): 75 В
Электрические характеристики
VF IR VBR
Ambient
(°C)
IF
m A
Мин.
V
Макс.
V
Ambient
(°C)
V
(dc)
Мин.
A
Макс.
A
Ambient
(°C)
IR
m A
Мин.
V
Макс.
V
25 10 — 0,8 25 20 — 0,025 25 100 100 25
25 100 — 1,2 25 75 — 0,500
150 10 — 0,8 150 20 — 35,0
-55 100 — 1,3 150 75 — 75,0
AC Electrical Characteristics @ 25°C
Параметр Символ Максимальный
Capacitance @ 0 V pF 4
Capacitance @ 1.5 V pF 2.8
TRR @ I F = I R = 10 мA, I REC = 1 мA nsec 5
TFR @ IF = 50 mA nsec 20
VFR @ IF = 50 mA V(pk) 5
